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上海幻电股票,蔡徐坤告B站,你们感觉蔡徐坤能赢吗?

作者:caishangshibao 2021-07-14 

告还是有很大可能告赢的

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毕竟b站是的确侵犯了人家肖像权上海幻电股票。恶性传播也的确是事实。所以蔡徐坤有理有据当然有可能打赢这场官司。但是这样会给蔡徐坤带来不好的名声。蔡徐坤因为打篮球这段视频火了,有极大是b站的功劳。吴亦凡因为大碗面被鬼畜区整了好长一段时间,王境泽也因为真香火到现在。蔡徐坤好不容易火了,他还不好好珍惜,反咬人家一口。实在是不应该。

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看看下面这个图片,张学友也是被鬼畜恶搞许多年。但他没有任何不好的情绪,甚至把自己怀里的娃娃递给了周润发,周天王一开始还不懂,然后等张学友做出表情才恍然大悟也做出了相同表情,刘德华都看蒙了!

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可以见得不同人对于不同事物会有不同做法,人与人之间的差距还是很大,流量小生蔡徐坤实在是应该多学学。

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传上海微电子研发出11nm光刻机,请问是真的吗?有谁知道?

据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机,并且次光刻机在经过多次曝光之后,可以制造出11纳米制程的芯片。目前来看,这个消息应该是真的。也就是说,国内在2021年,就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。虽说,还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比,但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。

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按光源来分的话,光刻机已经发展了五代。第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机,其制程工艺节点为800纳米-250纳米;第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机,其制程工艺节点也是800纳米-250纳米;第三代采用波长为248纳米的KRF光源的光刻机,其制程工艺节点为180纳米-130纳米;第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机,其制程工艺节点为130纳米-65纳米,45纳米-22纳米;第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机,其制程节点为22纳米-7纳米。

而上海微电子将在2021年交付的也就是第四代光刻机,制程工艺节点为28纳米。其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机,迄今过去了13年。经过14年的发展,再次拿出第四代光刻机也是很正常的。虽说,我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源,但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的,最明显的例子就是KBBF晶体。

另外光刻机比较重要的镜头,国内也是可以自制的。长春光机所于2016年研发出了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统。清华大学也在2014年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm,4.7nm。所以说,光刻机最重要掩膜台和工作台,镜头组,光源都可以由国内单位自己制造出来,那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么可怀疑的。只是在明年交付之后,芯片的良品率并不会一下子就上去,还要过段时间才可以提升上去。

另外,上海微电子即将交付的光刻机,在经过多次曝光之后,制程工艺还可以提高到11纳米。这样一来,对那些芯片并不急需,但要求制程工艺的公司来说,也是一个好消息。毕竟国内有了这种光刻机,就不必在受到国外的制裁了。对于EUV光源,我国还需要加大研发力度,争取早日取得突破。只要光源突破之后,那剩下的就没有什么太大的难题了

由此可知,上海微电子交付28纳米制程工艺的光刻机有较大意义。

本文出自: 财商时报,文章来源皆为网络整理并不代表我们的立场。